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GB/T 21039.1-2007
- 2007年06月29日
- 现行
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
半导体半导体器件半导体二级管微波管晶体管微波电磁辐射规范
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GB/T 4937.2-2006
- 2006年08月23日
- 现行
本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。 本项低气压试验方法和IEC 60068-2-13大体上一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，使用本标准条款。
半导体半导体器件机械试验气候试验
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GB/T 7577-1996
- 1996年07月09日
- 现行
本空白详细规范规定了制定低频放大管壳额定的双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
晶体管低频放大器双极晶体管规范
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GB/T 7581-1987
- 1987年03月21日
- 现行
本标准适用于半导体分立器件的外形尺寸。
半导体器件外形分立器尺寸
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GB/T 29827-2013
- 2013年11月12日
- 现行
本标准规定了可信平台主板的组成结构、信任链构建流程、功能接口。
本标准适用于基于可信平台控制模块的可信平台主板的设计、生产和使用。
信息安全接口计算机接口计算机电路计算机元部件计算机硬件
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GB/T 15449-1995
- 1995年01月05日
- 现行
本空白详细规范规定了制订管壳额定开关用场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
开关场效应晶体管规范外壳额定值
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GB/T 6589-2002
- 2002年12月04日
- 现行
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
半导体器件基准电压二极管半导体二极管详细规范
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GB/T 4937.30-2018
- 2018年09月17日
- 现行
本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。
本部分规定了SMDs的预处理流程。
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GB/T 4937.201-2018
- 2018年09月17日
- 现行
本部分适用于采用再流焊工艺和暴露于大气环境中的所有非气密封装表面安装器 件(SMD)。
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GB/T 4937.14-2018
- 2018年09月17日
- 现行
本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当 电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。
本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。
本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。
